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Nexperia推出采用QDPAK封装的1200V碳化硅MOSFET 突破高功率设计的散热瓶颈

盖世汽车李新坤2026-06-15

盖世汽车讯据外媒报道，全球半导体制造商Nexperia推出采用QDPAK封装的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，进一步扩展了其不断壮大的宽禁带（WBG）产品组合。该器件采用顶部冷却的表面贴装封装，针对高功率密度和散热要求高的应用进行了优化。这些器件专为高效高压功率转换应用而设计，能够简化散热管理和机械集成，充分发挥Nexperia SiC技术的电气性能，从而在紧凑的设计中实现了更高的输出功率、更高的效率和更优异的散热性能。